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N型氮化镓的结构和光电导特性

刘云燕, 艾子萍, 等

刘云燕, 艾子萍, 等. N型氮化镓的结构和光电导特性[J]. 岩矿测试, 2001, (3): 195-198.
引用本文: 刘云燕, 艾子萍, 等. N型氮化镓的结构和光电导特性[J]. 岩矿测试, 2001, (3): 195-198.
shu
The Structure and Photoconductivity of N-Type GaN[J]. Rock and Mineral Analysis, 2001, (3): 195-198.
Citation: The Structure and Photoconductivity of N-Type GaN[J]. Rock and Mineral Analysis, 2001, (3): 195-198.
shu

N型氮化镓的结构和光电导特性

  • 1.

    山东大学实验中心，山东济南250100

  • 2.

    淄博学院基础部，山东淄博255000

基金项目: 

山东自然科学基金项目(Y96A12016)

The Structure and Photoconductivity of N-Type GaN

摘要

    摘要
  • 摘要: 采用透射电镜高分辨反射电子衍射，扫描电镜形貌观察，X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测定方法的比较表明，高分辨反射电子衍射是确定厚衬底的薄膜结构的快速而简便的方法，材料的杂质和缺陷是影响其光电导性质的重要因素。
    Abstract: The structural properties of Mg doped GaN films with different Mg concentrations deposited by MOCVD have been measured by TEM with high resolution reflective electron diffraction, SEM and X ray diffraction. The obtained results show that the high resol
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出版历程
  • 修回日期:  2000-10-22

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